技术编号：7155654
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光伏电池制造，特别是一种掩膜扩散法制备P型太阳能电池的方法及其结构。背景技术目前，世界各大太阳能公司生产的晶体硅太阳能能电池都是P-型硅基体，为了进一步提高太阳能电池效率并降低成本，业内广泛采用SE (选择性发射结)以及背钝化来制备高效电池，但是这两种技术对设备要求高，设备投资也大。发明内容本发明所要解决的技术问题是提供一种工艺简单，成本较低，比较适合大规模生产的P型硅太阳能电池工艺方法。本发明解决其技术问题所采用的方案是一种掩膜扩散法制备P型太...
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