技术编号:7155802
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,尤其涉及一种。 背景技术沟槽式DMOS (Trench DM0S)、沟槽式IGBT (Trench IGBT)等沟槽功率器件由于具有高耐压和低导通压降等突出优点,目前已经广泛地应用于汽车电子、电力机车以及工业控制等领域。沟槽功率器件一般是在沟槽中填充多晶硅来形成纵向的栅极和沟道,相对于一般的水平结构的器件,不仅在单位面积可以获得更大的器件单元沟道宽度,而且对于沟槽式 IGBT还可以消除平面IGBT中的JFET电阻,从而在相同的电流水平下可...
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