技术编号:7155847
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种晶体管及其制作方法,特别是涉及一种。背景技术功率晶体管(power metal-oxide-semiconductor field transistor)是一禾中利用多数载子(majority carrier)导电,并以电压控制电流的元件,具有开关速度快、高频性能佳,及能承受高电压等优点,因此,通常并联多个功率晶体管而作为输入电压为数十至数千伏特的功率开关电路运用。请参阅图1所示,是一种现有的功率晶体管的剖视示意图。目前现有的功率晶体管1包含...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。