技术编号:7155953
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及CMOS半导体器件工艺领域,尤其涉及一种利用N型离子注入形成双深度隔离沟道的方法。背景技术自上世纪60年代末期美国贝尔实验室开发出固态成像器件和一维CXD(电荷耦合元件,Charge-Coupled Device)模型器件以来,CCD在图像传感、信号处理、数字存储等方面发展迅速。随着CCD器件的广泛应用,其缺点逐渐显露出来,为此人们又开发了另外几种固态图像传感器,其中最有发展潜力的是采用标准CMOS制造工艺制造的CMOS图像传感器。到了 90年代...
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