技术编号:7155959
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制备,具体来说是涉及一种缩小侧墙工艺的两次图形曝光工艺中最小线宽的方法。背景技术在现有的半导体器件的制备工艺过程中,芯片是批量处理的,在同一晶圆上形成大量复杂器件。近年来,随着超大规模集成电路的迅速发展,芯片也向着高集成度和微型化的方向发展。在制备工艺中,芯片的关键尺寸也在进一步地缩小,这就对光刻工艺提出了更高的要求。但是,由于受到光刻机光源波长的限制,现有的193纳米浸润式光刻机已经不能满足32纳米以下工艺的要求。为了满足32纳米以下工艺...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。