技术编号:7155960
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制备,具体来说是涉及一种有助于消除倒U形镍硅化物的器件结构及其制备工艺。背景技术在半导体的生产工艺中,在栅极结构的周围一般都会涉及到侧墙成型工艺,通过侧墙成型工艺所形成的侧墙一般用来环绕栅极结构,以防止更大剂量的源/漏注入过于接近的沟道,从而导致源/漏穿通现象的发生。但是,侧墙成型工艺中所采用的干法刻蚀很容易造成栅极削角,由于栅极削角的存在,使得后续在栅极上淀积的镍也会呈现倒U形,因此导致在后续的栅极和环绕栅极的侧墙之间的氧化物会在整合的过...
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