技术编号:7156128
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域,特别涉及一种无定形碳膜的处理方法,以及一种开口的形成方法。背景技术随着半导体制造技术的飞速发展,半导体器件为了达到更高的运算速度、更大的数据存储量、以及更多的功能,不断朝向更高的元件密度的方向发展。为了得到集成度高的半导体器件,现有的半导体器件的布线层之间的层间介质层的材料多采用低介电常数材料。无定形碳(a-C H, hydrogenated amorphous carbon)作为一种低介电常数材料吸引了很多注意力,在美国专利US 6...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。