技术编号：7156243
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体的工艺，特别是关于一种。背景技术 在半导体器件中，特别是在大型的存储器器件中，通常会利用保险丝(Fuse)来修补器件的缺陷(Defect)，以提升产品的合格率(Yield)。典型的修补方式，是在测试半导体存储器件时，在存储器的行(Row)或列(Column)发现坏掉的位(Bit)，则利用激光将特定的保险丝线熔化烧断，以使日后选到此坏掉的位时，可以透过译码电路而自动更换至修补电路。公知的保险丝工艺，是将修补电路区的保险丝开口与内部电路区的...
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