技术编号:7156265
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本文讨论的实施方式涉及抗蚀图案改善材料,形成抗蚀图案的方法,以及制造半导体器件的方法。背景技术为了进一步改善半导体的集成度,例如对于大规模集成(LSI),在半导体的制造中形成更精细的图案,且目前最小的图案尺寸为IOOnm或更小。在半导体器件中形成如此精细的图案已通过降低来自曝光装置的光源的光波长和改进抗蚀剂材料来实现。目前,已通过液体浸没式光刻法进行精细图案的形成,其中用发射波长为193nm的氟化氩(ArF)受激准分子激光的光源通过水进行曝光,并且作为用于...
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