技术编号:7156272
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于半导体结构及其制造方法,特别是有关于双极结晶体管及其制造方法,采用新颖的N型双载子晶体管架构改善集极与射极间的击穿效应。背景技术半导体技术中的双极结晶体管(bipolar junction transistor ;BJT)为掺杂的半导体材料构成的三端电子装置。双极结晶体管是因为其操作包括电子与空穴两者而命名。双极结晶体管中电荷流动的驱动力是电荷载子跨过两个不同电荷浓度的区域之间的结的双向扩散而造成。双极结晶体管可使用在放大或开关应用中。发明内...
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