技术编号:7156678
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,尤其涉及。背景技术磁随机存取存储器(MagnetoResistive Random Access Memory,MRAM)是固体存储器,其主要利用作为信息记录载体的磁性隧道结(MTJ)的磁化方向的改变,以达到写入和读出记录信息的效果。所述磁性隧道结内具有自身固定的磁性方向,当外界提供的电流流经所述磁性隧道结时,将磁化所述磁性隧道结,即在所述磁性隧道结内产生磁化方向。当磁化方向与固定的磁性方向相同时,所述磁性隧道结处于平行状态;当磁化方向与...
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