技术编号:7156884
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明设计半导体制造领域硅一氧化硅一氮化硅一氧化硅一硅(S0N0Q存储器的制造方法,尤其是一种新型的两位SONOS存储单元结构及其制备方法。背景技术1.非挥发性半导体存储器的基本工作原理是在一个场效应管(MOSFET)的栅介质中存储电荷。其中电荷被存储在一个适当的介质层的分立的俘获中心里的器件被称为电荷俘获器件。这类器件中最常用的是硅一氧化硅一氮化硅一氧化硅一硅(SONOS)存储器。 非挥发性存储器在半导体存储器件中扮演着重要的角色。随着非易失存储器(NV...
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