技术编号:7156886
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种电子元件的生产制作方法,尤其涉及一种能够实现两种不同绝缘层厚度电容的集成方法、以及使用所述方法制作的集成电容。背景技术目前,逻辑产品里通常会有集成电容结构,比较常见的会采用PIP (多晶体-绝缘层-多晶硅)或MIM (金属-绝缘层-金属)的结构流程。PIP结构的基本流程是先正常成长一层多晶硅,然后按需求生长一层一定厚度的氧化膜,再在上面成长一层金属硅化物作为电容上极板,最后通过2次干法刻蚀依次打开电容上极板和硅栅图像。中国专利CN101770...
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