技术编号:7156977
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明系相关于ー种,尤指关于剥离半导体基板的。背景技术在传统的发光二极管制程(Light-Emitting Diode ;LED)中,为了在成长基板上生长出较高质量的氮化物半导体(例如形成镓基(GaN-based)外延薄膜),一般会选择晶体结构与氮化镓的晶体结构类似的蓝宝石(A1-203)基板作为成长基板,但蓝宝石基板在导电性质与导热性质上是比较差的,因此氮化镓发光二极管在高电流、高功率、长时间操作下,存在着散热不佳、影响晶粒发光效率与发光面积、可靠度不良...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。