技术编号:7157213
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的示范性实施例涉及半导体装置的制造,更具体地,涉及制造通孔和穿透硅通路(through-silicon via,TSV)的方法。背景技术近来,随着电子产品的尺寸变得更小且提供更高的性能,对超小型高容量的半导体存储装置的需求增加。半导体存储器的制造者做出大量的努力以通过多个半导体芯片安装在单一的半导体封装中的多芯片封装来增加半导体存储装置的存储容量。多芯片封装技术通过简化的工艺可降低封装的制造成本,并且有利于批量生产, 但是其缺点在于由于要被堆叠的芯片...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。