技术编号:7157242
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件制造方法,具体涉及一种锗硅异质结双极晶体管制作方法。背景技术锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)有一个很重要的应用领域就是低噪声放大器, 充分发挥锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)的低噪声优势,但由于锗硅异质结双极晶体管 (SiGe HBT) 一般都采用多晶硅发射极,这样比较容易在发射极/基区结处形成晶体缺陷和表面态,噪声器件的Ι/f噪声增加,从而增加了器件的白噪声。但发射极不能采用硅单晶层,因为发射极中的N型杂质不能在硅...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。