技术编号:7157243
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域,更具体地,涉及一种带有鳍的半导体器件结构及其制作方法,其中能够高质量地形成栅电极图案,还涉及一种半导体鳍制作方法,其中能够高质量地形成半导体鳍图案。背景技术随着集成密度的日益提高,鳍式晶体管结构如FinFET(鳍式场效应晶体管)由于其良好的电学性能、可扩展性以及与常规制造工艺的兼容性而倍受关注。图I中示出了示例FinFET的透视图。如图I所示,该FinFET包括体Si半导体衬底101 ;在体Si半导体衬底101上形成的鳍102 ;与鳍...
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