技术编号:7157288
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体元件,且特别是有关于数种金属氧化物半场效晶体管。背景技术超高压元件在操作时必须具有高击穿电压(breakdown voltage)以及低的开启电阻(on-state resistance, Ron),以减少功率损耗失。为能提供较高电流并维持足够大的击穿电压,目前已发展出阵列式的结构。在交流-直流电产品的布局中,通过阵列结构可以減少布局面积并且提升元件的效能。目前所发展的ー种超高压元件,其源极区以及漏极区均呈指叉状。虽然指叉状的源极端以及漏极...
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