技术编号：7157333
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造工艺，尤其涉及一种。背景技术随着半导体技术发展到65nm技术节点甚至更小，在CMOS工艺中开始使用应力技术来提高半导体器件的性能。应力记忆技术(Stress Memorization Technology, SMTMt为一种广泛使用的应力技术被用来提高NMOS器件的性能。在传统的SMT工艺中，通常采用沉积应力层及源/漏退火工艺，以诱发应力于衬底 中，提高NMOS器件的沟道内的载流子迁移率，从而改善NMOS器件的电学性能。图IA-IHS现...
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