技术编号:7157545
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,尤其涉及。背景技术如本领域技术人员所知的,对于诸如场效应晶体管的半导体器件的制造工艺,存在后形成栅极(gate-last)和先形成栅极(gate-first)方法。在后形成栅极的方法中,在衬底809上形成电介质层807和伪栅(dummy gate),优选在此进行轻掺杂区(LDD)注入,然后形成间隔件(spacer)803 ;在如此的伪栅的栅极结构的形成后,进行源区和漏区注入;然后形成第一层间电介质层805,并进行CMP,从而基本露 出伪栅...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。