技术编号:7157546
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明特别涉及到一种具有新型光子晶体结构CIGS吸收层的薄膜太阳能电池及其制备方法,属于光电子器件领域,背景技术随着能源和环境危机的日趋严重,寻找新能源正在成为一项亟待解决的任务。太阳光能以其取之不尽,用之不竭,而且清洁无污染成为最具潜力的技术。其中薄膜太阳能技术近年开始兴起,因为其具有重量轻、成本低、易安装等优点。CIGS(铜(Cu)铟(In)镓(Ga) 硒( ),简称CIGQ则是薄膜太阳能技术中效率最高的00.6% ),其制备过程采用三阶段式的沉积方法...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。