技术编号:7157594
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,更具体地,本发明涉及一种。 背景技术金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管是半导体制造中的最基本器件,其广泛适用于各种集成电路中,根据主要载流子以及制造时的掺杂类型不同,分为NMOS和PMOS晶体管。现有技术提供了一种晶体管的形成方法。请参考图I至图3,为现有技术的晶体管的形成方法剖面结构示意图。请参考图1,提供衬底01,对所述衬底01进行离子注入,并对其进行热处理,形成阱区001 ;对所述衬底01进行离子注入形成离子区002,所述离子区0...
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