技术编号：7157789
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及多晶硅刻蚀工艺，尤其涉及。背景技术目前在多晶硅刻蚀工艺集成中，已经普遍采用二氧化硅作为刻蚀硬掩膜层(hard mask)。此类工艺有成本低，相关工艺成熟的优点。但是，现有技术的缺点是，其对二氧化硅厚度选择有苛刻的要求。如果二氧化硅厚度太薄，就会对多晶硅过刻。如果二氧化硅厚度太厚，需要在完成多晶硅刻蚀后追加一道长时间的湿法刻蚀，容易损失多晶硅边缘底下的栅氧，从而影响器件特性和可靠性。因此，提供一种能够有效防止对多晶硅过刻、并且避免使用湿法刻蚀的晶硅...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。