技术编号:7157800
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制备,特别是涉及。背景技术随着半导体技术的飞速发展,集成电路制造工艺已经深入深亚微米时代。浅沟槽隔离(Shallow Trench Isolation)技术,由于其具有优异的隔离性能和平坦的表面形状以及良好的抗锁性能等,已经成为一种广泛应用于CMOS器件制造过程中的器件隔离技术。而实践中通常采用淀积-蚀刻-淀积-蚀刻-淀积的循环方式进行浅沟槽的隔离填充,一种典型方法如下首先提供一硅衬底,然后在硅衬底上形成一有源区,然后在上述步骤中形成的有源...
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