技术编号:7157801
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种集成电路制造方法,尤其涉及。背景技术半导体制备工艺中,为了充分保护栅极,在栅极的外侧由里至外依次设有采用氧化物和氮化物间隔排列的错层侧壁,而最外层的侧壁往往采用氮化硅制成,从而在晶体管中起到电隔离栅极和杂质区(如源/漏区或轻掺杂区)的作用。如图1所示的半导体晶体管的栅极13,在所述栅极的外侧设有多层侧壁,其中最外层侧壁1’ 一般采用氮化硅制成, 而在所述侧壁1’靠近栅极13内侧设有采用氧化物制成的侧壁2’。最外层的侧壁1’可有效保护栅极,避免...
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