技术编号:7157805
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及。背景技术随着半导体组件集成度越来越高,散热和量子隧道效应成为芯片小型化工艺技术的新的难题,而应变硅技术(Stain silicon)采用一种成本相对较低、可大规模应用的方法来加大硅原子间距,从而减小电子通行所受到的阻碍,即减小了电阻,器件的发热量和能耗得到一定的降低,运行速度则得以提升,而这段扩张的空间就是电子流动的空间,从而有效降低了散热问题和量子隧道效应。当集成电路特征线宽缩小到90nm以下时,人们逐渐引入了高应力氮...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。