技术编号:7157808
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体储存单元的制作方法,尤其涉及一种可实现同一储存单元能够保存twin bit数据的SONOS存储单元、及其制作方法。背景技术非挥发性半导体存储器的基本工作原理是在一个MOSFET的栅介质中存储电荷。 其中电荷被存储在一个适当的介质层的分立的俘获中心里的器件被称为电荷俘获器件。这类器件中最常用的是硅一氧化硅一氮化硅一氧化硅一娃(SONOS)存储器。非挥发性存储器在半导体存储器件中扮演着重要的角色。随着NVM器件尺寸的不断减小,浮栅型非易失挥...
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