技术编号:7157892
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术,特别涉及。背景技术目前,半导体制造工业主要在硅衬底的晶片(wafer)器件面上生长器件,例如,互补型金属氧化物半导体(CMOS)器件。现在普遍采用双阱CMOS工艺在硅衬底上同时制作导电沟道为空穴的P型沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)和导电沟道为电子的η型沟道M0SFET,具体步骤为首先,将硅衬底中的不同区域通过掺杂分别成为以电子为多数载流子的(η型)硅衬底和以空穴为多数载流子的(P型)硅衬底之后,在η型硅衬底和P型硅衬...
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