技术编号：7157898
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微电子，涉及铁电功能薄膜材料、半导体器件，具体指一种增强型GaN异质结场效应晶体管。背景技术作为一类新型的宽禁带半导体材料，GaN具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、 载流子迁移率高、抗辐射能力强等特点，在微电子与光电子器件中有广泛的应用。基于其自身所具有的较强的压电极化和自发极化，在非有意掺杂的情况下，AWaN/GaN异质结中能够形成浓度高达IO13CnT2的二维电子气。因此，GaN基材料在大功率密度、高频、高速电子器件领域具有极其广泛的应用...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。