技术编号:7157915
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及半导体器件的制造方法、半导体器件及相机组件。 背景技术虽然现有的CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor)图象传感器是在硅基板上形成光电二级管并在其上形成布线,但是,从提高光效率和设计的自由度的出发点看,使光从形成了光电二级管的一侧的相反面(背面)入射的背面照射型CMOS图象传感器已经引起注目。背面照射型CMOS图象传感器,为了缩短到达光电二级管的距离,有必要通过机械化学研磨来薄膜化形成了光电二级...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。