技术编号:7157937
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,更具体地,本发明涉及一种鳍式场效应晶体管的制造方法、鳍式场效应晶体管。背景技术在半导体超大规模集成电路的发展过程中,晶体管在CMOS器件按比例缩小(scaling)的引导下,密度和性能遵循摩尔定律得到持续化和系统化增长。但是当器件的特征尺寸(Q),Critical Dimension)进一步下降时,即使采用后栅工艺,常规的MOS场效应管的结构也已经无法满足对器件性能的需求,多栅器件作为常规器件的替代得到了广泛的关 注。鳍式场效应晶体管(F...
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