技术编号:7158089
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件,尤其涉及在半导体衬底中形成的两个邻近的杂质扩散区之间具有减小的寄生电容的半导体器件。背景技术 图11A是作为一种光传感器的光电二极管的截面图。在p型硅衬底100的表面上形成由n型硅构成的外延层101。在n型外延层101的表面上形成场氧化膜102以限定多个有源区。在一个有源区中(在图11A的中心区域中的有源区),形成多个n型阴极区103,彼此隔开一定的距离。在两个邻近的阴极区103之间,形成p型分隔区104。用抗反射膜105覆盖形成有阴...
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