技术编号:7158154
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。背景技术近年来,正在开发使用了碳化硅(SiC)、氮化物半导体等代替硅的新材料的元件。已知其中之一,若形成层叠了作为氮化物半导体的氮化镓(GaN)和氮化铝镓(AlGaN)的异质结,则在其界面产生ニ维电子气(2DEG)。将该2DEG作为沟道利用的异质结构场效应型晶体管(HFET Hetero-structure Field Effect Transistor)具有高耐压、低导通电阻的特性。于是,在GaN系HFET中,作为实现常关闭(normally...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。