技术编号：7158263
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及非易失性半导体存储装置的NAND型非易失性存储器的数据擦除方法。更详细地，本发明涉及进行电写入及电擦除的非易失性半导体存储装置(非易失性存储器、或者EEPR0M(电可擦可编程只读存储器))的NAND型非易失性存储器的数据擦除方法，并且在其范畴内包括能够每一位地电擦除的EEPR0M、快闪存储器等。背景技术能够将数据电重写并且在切断电源后也能够存储数据的非易失性存储器的市场正在扩大。非易失性存储器具有与MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)相...
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