Ldmos晶体管结构及其形成方法技术资料下载

技术编号:7158274

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本发明涉及半导体器件以及半导体工艺,尤其涉及一种LDMOS晶体管结构及其形成方法。背景技术高压BCD工艺及由其形成的电路模块广泛应用于汽车电子、液晶显示面板(LCD) 驱动、有机发光二极管(OLED)驱动、马达驱动等领域,是近年来的热门研究领域。横向扩散金属氧化物(LDM0Q晶体管是B⑶工艺中常用的一种功率器件。常规的 LDMOS晶体管的栅极往往延伸至场氧化层(L0C0S或STI)上,从而减少漏端的电场强度,以增大LDMOS晶体管的安全工作区和击穿电压。以...
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