技术编号：7158277
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及存储元件，所述存储元件根据在存储层中观测到的电特性的任何变化来存储信息，所述存储层包括离子源层和电阻变化层。本发明还涉及存储装置。背景技术目前普遍采用NOR型或NAND型闪存作为用于数据存储的半导体非易失性存储器。 然而，考虑到在写入和擦除时需要高的电压并且能够被注入至浮动栅极的电子的数量有限，这样的半导体非易失性存储器已经被指出在微细化加工方面存在局限性。为了克服在微细化加工方面的这种局限性，目前提出的下一代非易失性存储器是诸如电阻式随机存取存...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。