技术编号:7158279
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种晶体管PN结的形成方法。 背景技术金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET)是一种利用电场效应来控制电流大小的半导体器件。MOSFET因具有体积小、重量轻、耗电省、寿命长,并具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强和制造工艺简单等优点,而得到广泛应用。通常,MOSFET的衬底内包括PN结,如衬底中的P型体区与N型衬底之间形成的PN结...
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