技术编号:7158280
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及沟槽式MOS管制作工艺。 背景技术沟槽式MOS场效应管是在平面式MOS场效应管基础上发展起来的新型MOS管,具备导通电阻小、饱和电压低、开关速度快、沟道密度高、芯片尺寸小等优点,是中低压MOS场效应管发展的主流,所述中低压范围通常为20V 300V之间。图1为现有一种沟槽式MOS场效应管的剖面结构示意图。该沟槽式MOS场效应管 10在N+硅衬底11上生长有一层N"外延层110,电子由源端12经沟道13从衬底11流出, 漏极...
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