技术编号:7158281
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及多晶硅化学机械研磨(CMP)工艺的预研磨方法。背景技术晶圆制造中,随着制程技术的升级、导线与栅极尺寸的缩小,光刻(Lithography) 技术对晶圆表面的平坦程度(Non-uniformity)的要求越来越高,CMP工艺属于芯片制造厂的基本工艺,用于将晶圆表面平坦化。图1所示为CMP工艺设备示意图,研磨头(Head)Il下方安置待研磨晶圆,在向下压力的作用下,待研磨晶圆与旋转的研磨机械平台12上的研磨垫(Pad) 13机...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。