技术编号：7158513
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明大体上涉及图像传感器，且具体地但非排他地，涉及背侧照明(“BSI”)互补金属氧化物半导体(“CMOS”)图像传感器。背景技术CMOS图像传感器归因于像素自身中的暗电流及像素间暗电流电平的变化而可能产生不准确的图像数据。暗电流添加至输出电压且使成像系统所提供的图片降级。因此， 为了产生准确的图像数据，希望减少或消除暗电流。对于BSI CMOS图像传感器，暗电流可为特定问题。典型BSI CMOS图像传感器具有比前侧照明传感器的暗电流电平大100倍以上的暗...
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