技术编号:7158686
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体结构及其制作方法,特别是藉由在单晶磷化硼缓冲层上形成低温及高温III族-氮化物缓冲层,使之于后续磊晶时提供氮化镓系化合物半导体,产生较完美的晶格匹配结构。背景技术 目前,氮化镓系(GaN-based)化合物半导体材料用于制作发光二极管(LED)、雷射二极管(LD)、高频/高功率电晶体及光侦测器等元件。其中,发光二极管可发出蓝、绿、超紫和白光,由于LED具备省电、寿命长且安全性高等优点,已被广泛应用在照明设备方面。目前以氮化镓或第III族...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。