技术编号:7158756
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种利用侧向边墙技术提高STI凹陷区特性的方法。背景技术图1是本发明背景技术中形成过大形貌的凹陷区的结构示意图;图2是本发明背景技术中过大形貌的凹陷区造成不良影响的结构示意图。如图1-2所示,在浅沟槽隔离 (Shallow Trench Isolation,简称STI)工艺中,垫氮化物(pad nitride)层去除之后,后续的去除垫氧化物(pad oxide)层11和去除IO区域的厚栅氧的工艺中,一般采用HF湿法刻蚀氧化...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。