技术编号:7158765
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制备,具体来说是涉及。背景技术在半导体的生产工艺中,由于例如包括M0SFETS并且借助MOS或CMOS工艺制造的器件集成度的不断提高,半导体器件的小型化也正正面临着挑战。不仅器件的尺寸和区域需要降低其大小,而且在质量和成品率上仍有很高的期望。此种类型的器件的结深涉及到掺杂的高活性,结深的良好控制等等。同时,为了通过背面相接触,通常需要与金属硅化物之间的低电阻接触。图1示出了现有技术中的一种接触孔结构,其具体的形成工艺包括以下的步骤 首先,在...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。