技术编号:7158879
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路制造领域,特别是涉及ー种锗硅三极管基区硬掩蔽膜层结构。本发明还涉及ー种锗硅三极管基区硬掩蔽膜层结构的制作方法。背景技术如图I所示,在半导体Bi-polar (双极)或Bi-CMOS (双极CMOS)エ艺中,为了提高器件的频率和速度特性,会引入锗硅(SiGe,即在硅中掺锗)エ艺来制造三极管的基区(Base)。由于锗硅薄膜层中应变能的存在,使得外延生长的锗硅薄膜层表面变得非常粗糙,而锗硅薄膜层的这种粗糙表面造成的光的漫反射会严重影响后续...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。