技术编号:7158943
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体制造过程中的金属互连集成方法,尤其涉及一种改进的硬质掩膜的与多孔低k值材料的集成方法。背景技术现有技术中,通过对低介电常数值材料覆盖以一层TiN膜作为金属硬质掩膜而形成双大马士革结构的方法,成为半导体制造业界成为普遍应用的工艺方法,但是由于作为金属硬质掩膜的TiN本身的化学和物理局限性,在干法刻蚀后会普遍出现含Ti的聚合物残留,以及极小线宽情况下由于TiN的高残余应力而导致的沟槽结构扭曲等问题,影响了产品的良品率和性能。发明内容针对上述...
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