技术编号：7158946
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及ー种，且特别涉及ー种利用金属间隙壁以。背景技术由于结构简单，动态随机存储器(Dynamic Random Access Memories, DRAM)在单位晶片面积内可提供的存储单元数量高于其它种类的存储体，例如静态随机存取存储器(Static Random Access Memories, SRAM)。DRAM由多个存储单兀构成，姆个存储单兀包含ー个电容器及一晶体管，电容器用以储存数据，晶体管则耦合于电容器，用以控制/管理电容器的充电/放电。在...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。