技术编号:7159040
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明有关于一种深渠沟电容器制程,特别有关一种深渠沟的领型介电层制程,可以有效防止深渠沟的顶部尺寸扩大。背景技术 一个动态随机存取内存胞(DRAM cell)是由一个晶体管以及一个电容器所构成,目前的平面晶体管设计是搭配一种深渠沟电容器(deep trenchcapacitor),将三维的电容器结构制作于半导体硅基底内的深渠沟中,可以缩小存储单元的尺寸与电力消耗,进而加快其操作速度。如图1A所示,其显示习知DRAM胞的深渠沟排列的平面图。应用于折迭位线(f...
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