技术编号:7159061
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种,且特别是有关于一种能防止于浅沟渠隔离区中产生孔洞的方法。背景技术 浅沟渠隔离法是一种利用非等向性蚀刻的方式在半导体基底中形成沟渠,然后再于沟渠中填入氧化物,以形成器件的隔离区的技术。由于浅沟渠隔离法所形成的隔离区具有可调整大小的优点,并且可避免传统区域氧化(LOCOS)法隔离技术中鸟嘴侵蚀的缺点,因此,对于次微米的金氧半导体工艺而言,是一种较为理想的隔离技术。然而,随着集成电路集成度的提升,器件的尺寸也越作越小。当浅沟渠隔离区随着集成电...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。