技术编号:7159068
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件及工艺,具体来说,本发明涉及一种带有绝缘埋层的。背景技术SOI (SiIicon-On-Insulator,绝缘体上硅)技术是在顶层硅和硅衬底之间引入了一层绝缘层,形成“顶层硅/绝缘层/硅衬底”的三层结构。顶层硅通常用来制作半导体器件,中间的绝缘层用来隔离器件和硅衬底。通过在绝缘体上形成顶层硅,半导体器件可以做成全耗尽型,因而具有以下优点寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单、短沟道效应小及特别适用于低压低功耗电路等优势;通过实现集成...
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