技术编号:7159069
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体材料的制备领域,尤其涉及一种。背景技术GaN基发光二极管(Light Emitting Diode,缩写为LED)具有寿命长、耐冲击、抗震、高效节能等优异特征,在图像显示、信号指示、照明以及基础研究等方面有着极为广泛的应用前景。GaN基发光二极管近年来发展迅猛,但其发光效率一直是制约LED在照明领域广泛应用的主要瓶颈。目前制备GaN基LED芯片的一般工艺为1)在平片蓝宝石衬底或者图形化蓝宝石衬底(Patterned Sapphire Sub...
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